МОДЕЛЮВАННЯ ОБЛАСТЕЙ СПІВІСНУВАННЯ ФАЗ У ТВЕРДИХ РОЗЧИНАХ З ВИКОРИСТАННЯМ РІЗНИХ ТЕРМОДИНАМІЧНИХ МОДЕЛЕЙ

Автор:

Казаков Анатолій Іванович, Одеський національний політехнічний університет, м. Одеса, Україна

Шаповалов Геннадій Віталійович, Одеський національний політехнічний університет, м. Одеса, Україна

Мова статті: російська

Анотація:

Актуальність теми дослідженняПри определенных температурах и составах в многокомпонентных твердых растворах полупроводников возможно формирование модулированных периодических пространственных структур, что приводит к деградации свойств материалов и приборов, создаваемых на их основе.

Постановка проблеми. Проблемы прогнозирования свойств структурированных функциональных материалов нано- и микроэлектроники, имеющих оптимальные свойства для реализации практических задач, являются актуальными в настоящее время.

Викладення основного матеріалу. Для твердых растворов  были расчитаны области, в которых выполняются условия формирования пространств сосуществования фаз порядка два в рамках моделей строго регулярного раствора с учетом параметров взаимодействий первых двух координационных сфер, модели пострегулярного раствора и модели регулярного раствора с учетом взаимодействий атомов в первых трех координационных сферах, а также проведен сравнительный анализ полученных результатов моделирования.

Ключові слова:

комп’ютерне моделювання, термодинамічні моделі, простори співіснування фаз, модульовані структури, вільна енергія, стійкість до диференціювання

Список використаних джерел:

  1. Henoc P. Composition modulation in liquid phase epitaxial InxGa1-xAsyP1-y layers lattice matched to InP substrates / P. Henoc, A. Izrael, M. Quillec, H. Launois // Appl. Phys. Let. – 1982. – Vol. 40. – Pp. 951–963.

  2. Mahajan S. Spinodal decomposition in InGaAsP epitaxial layers / S.Mahajan, B.V. Dutt, H.Temkin and others // J. Crystal Growth. – 1984. – Vol. 68, № 2. – Pp. 589–595.

  3. Kuwano N. Electron microscope study of modulated structures and heterointerfaces in LPE-grown GaInAsP layers lattice matched on GaAs / N. Kuwano, K. Funuka, Oki K. and others // J. Crystal Growth. – 1989. – Vol. 98. – Pp. 82–89.

  4. Спонтанно формирующиеся периодические InGaAsP – структуры c модулированным составом / Л. С. Вавилова, В. А. Капитонов, А. В. Мурашева и др. // Физика и техника полупроводников. – 1999. – Т. 33, № 9. – С. 1108–1110.

  5. Chu S. Surface layer spinodal decomposition in In1-xGaxAs1-yPy and In1-xGaxAs grown by hybrid transport vapor phase epitaxy. / S. Chu, S. Nakahara, K. Strege, W. Johnston // J. Appl. Phys. – 1985. – Vol. 57. – Pp. 4610–4616.

  6. Казаков А. И. Компьютерное моделирование критических пространств сосуществования на фазовых диаграммах многокомпонентных твердых растворов / А. И. Казаков, Л. Т. Кваташидзе, Г. В. Шаповалов // Информатика и математические методы в моделировании – 2014. – Т. 4, №4. – С. 349–356.

  7. Onabe K. Thermodynamics of the type A1-xBxC1-yDy, III-V quaternary solid solutions / K.Onabe // J. Phys. Chem. Solids. – 1982 – Vol. 43, № 11. – Pp. 1071–1086.

  8. Подольская Н. И. Энергия смешения соединений AlxInyGa1−x−yN / Н. И. Подольская, С. Ю. Карпов, А. И. Жмакин // Письма в журнал технической физики. – 2008. – № 34 (9). – С. 17–23.

  9. Notzel N. Semiconductor quantum-wire structuresjflirectly grown on high-index surfaces / R. Notzel, N.N. Ledentsov, L. Daweritz and others // Phys. Rev. – B, 45, 1992. – Pp. 3507–3513.

  10. Выращивание квантовых кластеров GaAs-AlAs на ориентированных не по (100) фасетированных поверхностях GaAs методом молекулярно-пучковой эпитаксии / Ж. И. Алфёров, А. Ю. Егоров, А. Е. Жуков, С. В. Иванов и др. // ФТП. – 1992. – № 26. – С. 1715–1719.

  11. Gagis G. Novel materials GalnAsPSb/GaSb and GalnAsPSb/InAs for room-temperature optoelectronic devices for a 3-5 mt wavelength range (GalnAsPSb/GaSb and GalnAsPSb/InAs for 3–5 mt) / G.S. Gagis, V.I. Vasilev, A.G. Deryagin, V.V. Dudelev, A.S. Maslov, R.V. Levin, B.V. Pushnyi and others // Semicond. Sci. Technol., 23, 2008. – Pp. 125026–125031.

  12. Формирование тройных твердых растворов AIIIBV на пластинах GaAs и GaSb за счет твердофазных реакций замещения / В. И. Васильев, Г. С. Гагис, В. И. Кучинский, В. Г. Данильченко // Физика и техника полупроводников. – 2015. – Т. 49, № 7. – С. 984–988.

  13. Формирование массивов квантовых точек GaxIn1-xAsyP1-y в процессе ионно-лучевого осаждения / И. А. Сысоев, М. Л. Лунина, Д. Л. Алфимова, А. В. Благин, Д. А. Гусев, Б. М. Середин // Неорганические материалы. – 2013. – Т. 50, № 2. – С. 1–7.

  14. Okada K. Classical calculations on the phase transition I. Phase diagram in four-dimensional space for the system with one order parameter / K. Okada, I. Suzuki // J. Phys. Soc. Jap. – 1982. – Vol. 51, № 10. – Pp. 3250–3257.

  15. Расчет фазовых равновесий в многокомпонентных системах / А. И. Казаков, В. А. Мокрицкий, В. Н. Романенко и др. – М. : Металлургия, 1987. – 136 с.

Завантажити