Вплив технологічних чинників на якість приладових структур
DOI:
https://doi.org/10.25140/2411-5363-2024-1(35)-75-80Ключові слова:
епітаксійні композиції; напівпровідникові прилади; бездислокаційний кремній; дефекти; відпал; пластинаАнотація
Застосування методу інтерферометрії дало можливість суттєво доповнити та уточнити інформацію про морфологію, характер дефектів нарощених шарів епітаксійних композицій (ЕК), виявлених методами вибіркового травлення за допомогою металографічного мікроскопа. Порівняльним дослідженням ступеня дефектності пластин після кожного з етапів їх виготовлення встановлено, при яких операціях технологічного процесу утворюються конкретні види дефектів. Запропоновано методику отримання якісних напівпровідникових приладів та інтегральних схем на основі різних видів ЕК з високим питомим опором робочого шару.
Посилання
Jyi-Tsong, L. (2019). A novel planar-type body connected FinFET device fabricated by self-align isolation-last process. Solid-State and Integrated Circuit Technology. New technolo-gies. https://www.researchgate.net/publication/224205328_A_novel_planar-type_body-connected_FinFET_device_fabricated_by_self-align_isolation-last_process.
Odinokov, V.V., Pavlov, G.Ya. (2011). New processing equipment for innovative tech-nologies micro, nano - and radio electronics. Technology and designing in the electronic equip-ment, 3, 41-43.
Levinson, D.I., Nikonov, A.Y., Nebesnyuk, O.Y. (2013). Modeling the distribution of impurities in the preparation of heavily instrumental silicon layers using high-energy treatment. Scientific researches and their practical application. Modern state and ways of development, 10-13.
Green, M.A. (2012). Third generation photovoltaics: solar cells for 2020 and beyond. Physica E Low-dimensional Systems and Nanostructures, (14(1)), 65-70.
Brown, A. S., Green, M. A. (2011). Limiting efficiency of multiple band solar cells. Pro-ceedings of the 17th European Photovoltaic Solar Energy Conference (pз. 246–249). Kyiv.
Norman, A.G., Hanna, M.C., Dippo, P. et al. (2015). InGaAs/GaAs QD superlattices: MOVPE growth, structural and optical characterization, and application in intermediate-band solar cells. Proceedings of the 31st IEEE Photovoltaics Specialists Conference and Exhibition (рр. 3-7). Florida, USA.
Maronchuk, I.E., Erochin, S.Yu., Kulutkina, T.F. et al. (2013). Solar cells heterostructures with InAs quantum dots obtained by liquid phase epitaxy. Third World Conference on Photovol-taic Energy Conversion (pр. 11–18). Osaka, Japan.
King, R.R., Law, D.C., Fetzez, C.M., Sherif, R.A., Edmondson, K.M., Kurtz, S. (2015). Pathways to 40% Efficient Concentrator Photovoltaics. Proceedings 20th European Photovoltaic Solar Energy Conference (рр. 30-37). Barcelona, Spain.
Nebesniuk, O.Y., Nikonova, Z.A., Nikonova, A.A. (2022). Technological Features of Re-al Contact Systems Production for Nanosystem Equipment. Journal of Nano- and Electronic Physics, (14(5)), 5-14.
##submission.downloads##
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
Ліцензія
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
