МОДЕЛЮВАННЯ ОБЛАСТЕЙ СПІВІСНУВАННЯ ФАЗ У ТВЕРДИХ РОЗЧИНАХ In xGa1x As y P 1 y З ВИКОРИСТАННЯМ РІЗНИХ ТЕРМОДИНАМІЧНИХ МОДЕЛЕЙ
Ключові слова:
комп’ютерне моделювання, термодинамічні моделі, простори співіснування фаз, модульовані структури, вільна енергія, стійкість до диференціюванняАнотація
При певних температурах і складах у багатокомпонентних твердих розчинах напівпровідників можливе формування модульованих періодичних просторових структур, що призводить до деградації властивостей матеріалів іприладів, створених на їх основі. Проблеми прогнозування властивостей структурованих функціональних матеріалів нано- і мікроелектроніки, що мають оптимальні властивості для реалізації практичних завдань, є нині актуальними. Для твердих розчинів
InxGa1 x As y P 1 y були розраховані області, в яких виконуються умови формування
просторів співіснування фаз порядку два в рамках моделей строго регулярного розчину з урахуванням параметрів
взаємодій перших двох координаційних сфер, моделі пострегулярного розчину і моделі регулярного розчину з урахуванням взаємодій атомів у перших трьох координаційних сферах, а також проведено порівняльний аналіз отриманих результатів моделювання.
Посилання
Henoc P. Composition modulation in liquid phase epitaxial InxGa1-xAsyP1-y layers lattice matched to InP substrates / P. Henoc, A. Izrael, M. Quillec, H. Launois // Appl. Phys. Let. – 1982. –
Vol. 40. – Pp. 951–963.
Mahajan S. Spinodal decomposition in InGaAsP epitaxial layers / S.Mahajan, B.V. Dutt, H.Temkin and others // J. Crystal Growth. – 1984. – Vol. 68, № 2. – Pp. 589–595.
Kuwano N. Electron microscope study of modulated structures and heterointerfaces in LPEgrown GaInAsP layers lattice matched on GaAs / N. Kuwano, K. Funuka, Oki K. and others //
J. Crystal Growth. – 1989. – Vol. 98. – Pp. 82–89.
Спонтанно формирующиеся периодические InGaAsP – структуры c модулированным составом / Л. С. Вавилова, В. А. Капитонов, А. В. Мурашева и др. // Физика и техника полупроводников. – 1999. – Т. 33, № 9. – С. 1108–1110.
Chu S. Surface layer spinodal decomposition in In1-xGaxAs1-yPy and In1-xGaxAs grown by hybrid transport vapor phase epitaxy. / S. Chu, S. Nakahara, K. Strege, W. Johnston // J. Appl. Phys. – 1985. – Vol. 57. – Pp. 4610–4616.
Казаков А. И. Компьютерное моделирование критических пространств сосуществования на фазовых диаграммах многокомпонентных твердых растворов / А. И. Казаков, Л. Т. Кваташидзе, Г. В. Шаповалов // Информатика и математические методы в моделировании – 2014. – Т. 4, №4. – С. 349–356.
Onabe K. Thermodynamics of the type A1-xBxC1-yDy, III-V quaternary solid solutions / K.Onabe // J. Phys. Chem. Solids. – 1982 – Vol. 43, № 11. – Pp. 1071–1086.
Подольская Н. И. Энергия смешения соединений AlxInyGa1−x−yN / Н. И. Подольская, С. Ю. Карпов, А. И. Жмакин // Письма в журнал технической физики. – 2008. – № 34 (9). – С. 17–23.
Notzel N. Semiconductor quantum-wire structuresjflirectly grown on high-index surfaces / R. Notzel, N.N. Ledentsov, L. Daweritz and others // Phys. Rev. – B, 45, 1992. – Pp. 3507–3513.
Выращивание квантовых кластеров GaAs-AlAs на ориентированных не по (100) фасетированных поверхностях GaAs методом молекулярно-пучковой эпитаксии / Ж. И. Алфёров,
А. Ю. Егоров, А. Е. Жуков, С. В. Иванов и др. // ФТП. – 1992. – № 26. – С. 1715–1719.
Gagis G. Novel materials GalnAsPSb/GaSb and GalnAsPSb/InAs for room-temperature optoelectronic devices for a 3-5 mt wavelength range (GalnAsPSb/GaSb and GalnAsPSb/InAs for 3– 5 mt) / G.S. Gagis, V.I. Vasilev, A.G. Deryagin, V.V. Dudelev, A.S. Maslov, R.V. Levin, B.V. Pushnyi and others // Semicond. Sci. Technol., 23, 2008. – Pp. 125026–125031.
Формирование тройных твердых растворов AIIIBV на пластинах GaAs и GaSb за счет твердофазных реакций замещения / В. И. Васильев, Г. С. Гагис, В. И. Кучинский, В. Г. Данильченко // Физика и техника полупроводников. – 2015. – Т. 49, № 7. – С. 984–988.
Формирование массивов квантовых точек GaxIn1-xAsyP1-y в процессе ионно-лучевого осаждения / И. А. Сысоев, М. Л. Лунина, Д. Л. Алфимова, А. В. Благин, Д. А. Гусев, Б. М. Середин // Неорганические материалы. – 2013. – Т. 50, № 2. – С. 1–7.
Okada K. Classical calculations on the phase transition I. Phase diagram in four-dimensional space for the system with one order parameter / K. Okada, I. Suzuki // J. Phys. Soc. Jap. – 1982. – Vol. 51, № 10. – Pp. 3250–3257.
Расчет фазовых равновесий в многокомпонентных системах / А. И. Казаков, В. А. Мокрицкий, В. Н. Романенко и др. – М. : Металлургия, 1987. – 136 с.
##submission.downloads##
Як цитувати
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2017 Чернігівський національний технологічний університет, 2015
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
